被“吹爆”的MRAM，走向MCU

由于嵌入式闪存（eFlash）在28nm触达极限，限制了MCU制程进一步向前发展，厂商纷纷瞄准了新型存储，包括磁存储器（MRAM/STT-MRAM/SOT- MRAM）、相变存储器（PCM/PCRAM）、阻变存储器（RRAM/ReRAM）和铁电存储器（FRAM/FeRAM）。 而在其中，MRAM一直被业界所追捧，华为、台积电、三星、英特尔、新思科技等巨头都曾经耕耘过MRAM。无独有偶，两年前来自Coughlin Associates 的 Tom Coughlin和来自Objective Analysis的Jim Handy在一份报告中盛赞MRAM并看好其前景，他们给出的理由是MRAM类型丰富，应用前景广阔，综合优势 明显。 为了让MCU继续突破制程，同时加快MCU的NVM的传输速度，大厂纷纷选择不同路线来突破MCU制程。 MCU设计框图 英飞凌（Infineon）选择阻变存储器RRAM，推出台积电28nm工艺的AURIX TC4x系列MCU。 意法半导体（ST）选择相变存储器PCM，推出三星28nm FD-SOI ePCM工艺的xMemory Stellar系列MCU，同时推动升级至18nm FD-SOI工艺 ...