SK海力士加深与台积合作 携手研发新型HBM基础裸晶

AI存储器龙头SK海力士揭露其新世代存储器技术蓝图，目标要跨过AI世代"存储器高墙"的障碍，并透 露正与台积电（2330）密切合作下一代高频宽存储器（HBM）基础裸晶（base dies），目标成为"全线 AI存储器创造者"。 SK海力士在AI用的HBM洞烛机先，超越三星，成为业界霸主。SK海力士强调，存储器不再只是一个普 通元件，而是正在演变成AI产业中的核心价值产品。 SK海力士认为，尽管AI的采用正在加速中，导致资讯流量爆炸性成长，但支援这些成长的硬体技术， 尤其是存储器性能，未能与处理器的进步保持同步，形成所谓"存储器高墙"的障碍。 SK海力士揭露其新世代存储器技术蓝图，包括客制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）等三大方针。 SK海力士并针对AI DRAM（AI-D）细分为三大类，首先是AI-D O（Optimization）优化，主打低功 耗、高性能DRAM，目的在降低总体拥有成本并提高营运效率。其次是AI-D B（Breakthrough）的突 破，为克服"存储器高墙"的解决方案产品，其特点是超高容量存储器和灵活的存储器分配。第三为 AI- D ...