超越SiC？功率器件市场，跑出一匹黑马

11月初，日本Patentix株式会社宣布全球首次利用FZ法成功生长出金红石型二氧化锗（r-GeO2）块体晶体——尺寸达到5毫米。这块小小的晶体，带隙高达 4.68 eV——远超碳化硅（3.3 eV）和氮化镓（3.4 eV），并且理论上可同时实现p型与n型掺杂。 这一突破，再次将超宽禁带（UWBG）氧化物材料体系推向前台。随着电动汽车（EV）的普及、AI 数据中心的能耗增长、减碳与节能需求的增强，以及 车载功率模块小型化趋势的到来，超宽禁带半导体的商业化正受到高度期待。而氧化物，如GeO2和Ga₂O₃，正被视为实现更高耐压、更高功率、更高效 率的下一代功率半导体器件的重要候选材料。 二氧化锗：UWBG赛道新黑马？ 在超宽禁带（Ultra-Wide Bandgap, UWBG）半导体领域，除了广为人知的氧化镓（Ga₂O₃），二氧化锗（GeO2）正迅速崭露头角，成为新一代功率半导体 的竞争者。 二氧化锗作为功率半导体的优势主要有三点：其一，它是具有高功率半导体潜力的超宽带隙半导体；其二，它适用于常规型GeO2 MOSFET的P型和N型掺 杂；其三，它拥有廉价的块状晶体和外延层。 在功率半导体材料的进化谱系中，硅（ ...