三重超级周期！野村：明年DRAM、NAND和HBM需求同时爆发，有望推动存储市场翻倍

野村证券在5日发布的报告中指出，全球存储市场正迎来前所未有的"三重超级周期"（Triple Super- Cycle），DRAM、NAND和HBM（高带宽内存）的需求将在2026年同时爆发。 据追风交易台消息，野村证券预测，受人工智能基础设施建设及传统服务器投资回暖的驱动，全球存储 市场规模有望在2026年同比增长98%至4450亿美元，并在2027年进一步扩大至5900亿美元。 报告强调，这一轮超级周期将持续至2027年，主要动力来自强劲的需求增长与有限的供应扩张之间的供 需错配。野村预计，2026年DRAM和NAND的需求将分别增长30%，而HBM的需求增幅将高达63%。在 供应受限的背景下，产品价格将大幅上涨，预计DRAM和NAND的平均售价（ASP）将分别跃升46%和 65%，推动存储芯片制造商的营业利润率重回历史高位。 野村指出，除了AI服务器的强劲需求外，通用服务器市场的复苏也是关键驱动力。随着大型科技公司 恢复传统云服务器投资，预计2026年通用服务器相关内存（如DDR4和DDR5）需求将增长约50%。同 时，AI推理工作负载的增加推动了数据中心对高性能存储的需求，企业级固态硬盘（eSSD）需求 ...