美光科技取得沿着栅极区具有空隙的集成组合件及形成导电结构的方法专利

作者：情报员 声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。 本文源自：市场资讯 国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为"沿着栅极区具有空隙的集成组合件及形成导电 结构的方法"的专利，授权公告号CN114868247B，申请日期为2020年12月。 ...