市场狂飙 存储芯片巨头上调报价

存储芯片进入新一轮涨价周期。12月24日，据韩国《朝鲜日报》消息，三星电子、SK海力士两大存储 巨头已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。伴随存储现货价格全面持续上扬，市场分析指出，全球 存储芯片市场已正式迈入新一轮成长周期。 本轮涨价背后，是供需两端的共同作用。供应方面，存储厂商预计明年第六代HBM（即HBM4）需求 将增加，加大对其产能投入，导致HBM3E产能遭到积压。需求方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚 马逊等公司的订单量也大幅增加。 iPhone搭载的是低功耗双倍数据率存储芯片（LPDDR），这类芯片经过专门优化，能够满足移动设备 对能效和散热性能的严苛要求。 摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的"超级周期"，到2027年 全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进。 研究机构CFM数据显示，仅在2025年上半年，DRAM综合价格指数就大幅上涨了47.7%，NAND Flash （闪存芯片）综合价格指数上涨了9.2%。进入10月份以来，512Gb Flash Wafer（闪存晶圆）价格累计涨 幅已超20%。 招商证券分析称，预计存储产业后续DRAM和NAND资本 ...