消息称台积电亚利桑那州工厂 3 纳米量产时间提前至 2027 年，较原计划早一年

台积电位于亚利桑那州的首座工厂已正式投产 4 纳米制 程芯片，而第二座工厂将负责 3 纳米制程的大规模量 产，目标投产时间锁定 2027 年。此次加速扩产的核心原 因之一，是台积电正面临市场对 4 纳米、3 纳米乃至 2 纳米等尖端制程的海量需求，目前高性能计算客户已占 据该公司芯片产能的很大一部分。与此同时，人工智能 热潮尚无降温迹象，台积电因此计划扩大整体产能规 模，亚利桑那州工厂的升级工作正是这一战略的落地举 措。 报道还提及另一个重要原因：台积电当下正面临来自区 域竞争对手的激烈冲击。除了英特尔在 18A 制程技术上 持续突破，三星晶圆代工业务也迅速崛起，成为不容小 觑的强劲对手。此前报道称，三星拟加码其泰勒晶圆厂 的建设规划，摒弃原计划的 4 纳米制程，直接上马 SF2（2 纳米）制程工艺。这家韩国芯片巨头还成功 拿下特斯拉这一核心大客户，这一动态也表明，众多客户正在积极寻找台积电之外的可靠替代供应方。 IT之家 12 月 30 日消息，据韩媒 Digital Daily 报道，芯片巨头台积电正大幅提前其亚利桑那州晶圆厂的 制程节点量产时间表，3 纳米制程的大规模量产或将在 2027 年启动，较原计 ...