富士通牵手软银，日本半导体抱团研发HBM替代品

本周，富士通正式官宣加入软银牵头的下一代AI内存开发项目，将与软银、英特尔及东京大学组成联 盟，打造"SAIMEMORY新型内存" 《日经亚洲》报道称，此次合作聚焦大型语言模型等复杂AI计算需求，旨在突破现有存储技术瓶颈， 该联盟将以三维堆叠DRAM技术打造高带宽内存（HBM）的直接替代品，研发兼具高性能与经济性的 存储器解决方案，为AI基础设施建设提供全新选择。 作为项目核心参与者之一，富士通将自身深耕多年的量子启发技术注入研发体系，包括张量网络模拟器 等关键技术，可有效优化深度电路分析效率，为新型内存的性能提升提供支撑。 该项目的技术路线涵盖多重创新方向，既包括动态存储器硅梳化等压缩技术，也涉及与光子芯片的深度 整合及后量子安全增强方案，其中光子芯片在生成式AI任务中的效能已被证实远超英伟达传统硅芯 片，成为差异化竞争的核心亮点。 在技术协作层面，项目将整合英特尔的垂直堆叠技术与东京大学在热管理、数据传输领域的学术成果， 原型设计与制造环节则携手新光电气（富士通曾为其大股东）、力积电推进，形成"产学研用"一体化的 研发闭环。 可以说，这不仅是富士通重返存储器领域的关键布局，也是日本近期发力半导体产业竞争力 ...