天岳先进：12英寸衬底亮相国家博物馆“中国制造‘十四五’成就展”

天岳先进在8英寸、12英寸碳化硅衬底技术的突破性成果，不仅是我国第三代半导体产业发展的里程碑 事件，更有望成为重构全球碳化硅产业格局的关键力量。特别是12英寸产品的首次国际亮相，为拓展碳 化硅在AI应用等重要关键领域的进展奠定基础。相较8英寸产品，12英寸碳化硅衬底单片可用面积提升 约2.25倍，芯片产出量增加2倍以上，边缘损耗大幅缩减，有效芯片产出数量提升近90%，在优化下游 芯片性能、降低生产成本、提升产品可靠性的同时，彻底打通碳化硅材料规模化产业化的核心成本瓶 颈。 近日，"筑基强国路——中国制造'十四五'成就展"于国家博物馆盛大启幕，天岳先进全系列12英寸碳化 硅衬底荣耀参展，作为核心展品惊艳亮相，成为中国宽禁带半导体产业实现历史性跨越的鲜活见证。这 场由中国国家博物馆、工业和信息化部新闻宣传中心联合主办的国家级顶级盛会，精选全国300余件 （套）标志性成果，全景式呈现"十四五"时期中国制造业在核心技术突破、产业能级跃升的辉煌成就。 作为第三代半导体的核心基石，碳化硅衬底的技术迭代正在深刻影响新能源、人工智能、消费电子等战 略性新兴产业的发展，这也是国家将宽禁带半导体行业纳入"十四五"重点发展规划的战 ...