SK海力士斥资130亿美元建厂，应对HBM短缺

韩国芯片制造商SK海力士周二宣布，计划投资19万亿韩元（约合129亿美元）新建一座先进封装工厂，以应对人工智能技术蓬勃发展所引发的高 带宽内存（HBM）需求激增。 根据声明，新工厂将主要聚焦于先进封装技术，这是提升芯片性能与能效的关键环节。该设施将位于韩国清州市，依托公司现有的生产布局进行 扩建。SK海力士表示，建设计划于今年4月启动，预计在2027年底完工投产，届时将大幅提升其将多个存储芯片集成至单一高密度单元的能力。 新工厂将专注于先进封装工艺，该工艺通过将多个存储芯片组合成一个高密度单元，能够在减小芯片整体尺寸的同时，显著提升数据处理速度和 能源效率。这种技术路线对于满足下一代AI处理器对带宽和能耗的严苛要求至关重要。 供应紧缩与价格上涨压力 尽管HBM市场前景广阔，但其生产过程远比用于大多数消费电子产品的传统存储器更为复杂和严苛。随着芯片制造商纷纷将产能转向满足AI驱动 的高端需求，传统存储芯片的供应已出现紧张迹象。 研究机构TrendForce上周发布报告称，预计本季度包括HBM在内的动态随机存取存储器（DRAM）平均价格将较2025年第四季度上涨50%至 55%。DRAM通常指大多数计算机中用于临 ...