存储芯片涨价潮，十大核心ETF之科创芯片ETF(588200)净值创上市以来新高

本轮行情的核心催化来自存储芯片价格的强劲上涨。据最新市场信息，海外半导体制造龙头计划在2026年第一季度将服务器级DRAM价格上调60%– 70%，NAND Flash合约价也保持上升趋势。现货市场中，部分DDR4、DDR5型号价格已实现翻倍，渠道库存快速去化，反映下游需求持续走强。 与以往周期反弹不同，本轮涨价更多源于供给结构变化导致的"被动短缺"。AI服务器对存储资源的需求约为传统服务器的4–6倍，且高度依赖HBM等高端 产品。为此，头部存储厂商将新增产能大幅向HBM、DDR5等高端制程倾斜，成熟制程的DDR4及利基型DRAM产能被显著压缩。供给端的主动收缩加剧 了市场紧张——三星电子与SK海力士计划继续削减NAND闪存产量，美光科技也指出内存芯片短缺情况正在加剧。 在此"产能挤出效应"下，市场呈现两大特征：高端HBM供不应求，2026年底前产能已基本被锁定；中低端DRAM供给断崖式下降，而数据中心、PC、汽 车等领域对DDR4仍有刚性需求，供需错配甚至导致DDR4价格反超DDR5的罕见现象。 存储芯片市场景气度攀升，半导体与算力产业链持续爆发。 今日，入选"2026年全球视野·下注中国"十大核心ETF之 ...