磷化铟，火了

黄仁勋曾断言："未来十年，算力的天花板将由光传输效率决定。"这句话不仅揭示了光互连技术在未来算力竞赛中的核心 地位，也点燃了一个曾经小众的半导体材料——磷化铟（InP）的市场热情。 当前，随着AI大模型训练进入万卡集群时代，数据中心内部数据传输需求呈指数级增长，全球AI基础设施支出预计2026年 突破万亿美元，推动数据中心光模块向800G/1.6T及以上速率加速迭代。 在这股浪潮中，磷化铟材料凭借其独特性能成为光通信革命的核心支撑。全球头部磷化铟供应商订单已排满至2026年， 2025年全球器件需求达200万片，而产能仅60万片，近70%的供需缺口持续推高产业景气度。 这个曾被视为小众的材料，如今正在成为半导体行业的新焦点。 为何是磷化铟？ 在半导体领域，材料选择往往决定了技术路线的边界。 传统硅材料虽工艺成熟、成本低廉，但其物理特性在高频高速应用场景中逐渐显露短板。磷化铟作为第二代III-V族化合物 半导体的代表，在这场技术演进中脱颖而出。 磷化铟拥有硅材料10倍以上的电子迁移率（高达 1.2×104 cm²/V·s），同时具备高饱和电子漂移速度、优异的导热性与光电 转换效率，可支持100GHz以上的超高频 ...