三星电子HBM4芯片获英伟达(NVDA.US)认证，下月启动量产 5月开始大规模出货

三星电子 DS 部门已决定从 2 月起启动英伟达用 12 层堆叠 HBM4 的晶圆投片。该产品在去年底进入英 伟达最终认证阶段，使三星电子在全球三大存储芯片厂商的进度领先于海力士和美光。 一位了解三星电子内部情况的消息人士表示，如果 12 层堆叠 HBM4 在无需修改设计的情况下顺利通过 认证，那么从 2 月投片开始，三星还需要大约 3 个月完成工艺优化。按照这一节奏，具备商业供货条件 的量产产品或将在 5 月中旬形成规模，并在随后逐步扩大出货。 SK 海力士在去年 10 月曾表示，已完成与主要客户关于明年 HBM 供应的谈判。 智通财经APP获悉，据知情人士周一透露，三星电子计划于下个月开始生产其下一代高带宽内存(HBM) 芯片，即 HBM4，并将其供应给英伟达(NVDA.US)。 在去年早些时候因供应延迟打击了收益和股价后，三星一直试图追赶同城对手 SK 海力士。后者是英伟 达人工智能加速器所需先进内存芯片的主要供应商。 芯片行业消息人士表示，三星已通过了英伟达和 AMD 的 HBM4 资格测试，并将于下个月开始向英伟 达出货。 SK 海力士的一位高管本月初表示，该公司计划下个月开始在韩国清州的新工厂 M ...