中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构的工作性能

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为"半导体结构及其形 成方法"的专利，公开号CN121487311A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；沟道层结构，悬置于衬底上方，在纵 向上，沟道层结构包括一个或多个间隔的沟道层；栅极结构，位于衬底上且横跨沟道层结构，栅极结构 沿栅极结构延伸方向环绕沟道层；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的衬底上，在沟道层结构的延伸方向 上，源漏掺杂层与沟道层结构的端部相接触；源漏插塞，位于源漏掺杂层底部的衬底中，源漏插塞在纵 向上贯穿源漏掺杂层底部的衬底并与源漏掺杂层电连接。本发明有利于实现更佳的供电效果，从而有利 于提高半导体结构的工作性能。 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从 事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索 方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。 ...