蓝海华腾布局第四代半导体领域！科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数昨日强势收涨超1%，实现四连阳！

截至2026年2月10日收盘，科创芯片设计ETF天弘(589070)换手7.3%，成交4854.67万元。跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.25%， 实现四连阳，成分股芯原股份上涨8.54%，新相微上涨6.42%，东芯股份上涨6.07%，盛科通信，翱捷科技等个股跟涨。 截至2月10日，科创芯片设计ETF天弘(589070)近2周规模增长1.09亿元，近2周份额增长1.46亿份，实现显著增长。 资金流入方面，科创芯片设计ETF天弘(589070)近10个交易日合计"吸金"1.29亿元。 【产品亮点】 【机构观点】 银河证券指出，1月份，存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK海力士等头部厂商 一季度合约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%—70%。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、 数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年年中。 当前时点，是存储芯片赛道下一轮周期的新起点，在AI服务器需求高速增长叠加国产替代，看好国 ...