电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子或提高1b DRAM良率，NAND/DRAM市场价小幅波动
Yong Xing Zheng Quan·2024-06-21 05:30
电子 行业研究/行业周报 A 三星电子或提高 1b DRAM 良率,NAND/DRAM 市场 价小幅波动 ——存储芯片周度跟踪(2024.06.10-2024.06.14) ◼ 核心观点 NAND:NAND 颗粒市场价格小幅波动, 西部数据预览 2Tb QLC NAND 闪存芯片。根据 DRAMexchange,上周(0610-0614)NAND 颗粒 22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.62%至 3.11%,平均涨跌 幅为 0.20%。其中 9个料号价格持平,7 个料号价格上涨,6个料号价 格下跌。根据 CFM 闪存市场报道,西部数据预览了其创新的 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片,这款芯片以其 218 层的堆叠技术,成为目 前业界最高密度的闪存产品。BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片的单芯 片容量达 2Tb,西数有望通过 16 层堆叠技术提供 4TB 的存储容量颗 粒。 DRAM:颗粒价格小幅波动,三星电子或将提高 1b DRAM 良率及产 能。根据 DRAMexchange,上周(0610-0614)DRAM 18 个品类现货 价格环比涨跌幅区间为-3.69%至 0.04% ...