HBM专题报告：跨越带宽增长极限，HBM赋能AI新纪元

证 券 研 究 报 告 行业 专题报告 跨越带宽增长极限,HBM赋能AI新纪元 HBM专题报告 推荐 维持 投资评级: ( ) 2024年06月28日 报告日期: ◼ 分析师:毛正 ◼ SAC编号:S1050521120001 ◼ 联系人:张璐 ◼ SAC编号:S1050123120019 投 资 要 点 AI时代存储新需求催生HBM,海内外供需缺口扩大蓝海广阔 随着人工智能的兴起,对高算力和带宽的需求推动了存储的发展。相较于传统的DRAM,HBM技术采用垂直堆叠DDR芯片 与GPU封装实现高带宽、低延迟和低功耗,突破了传统内存的限制,适应AI时代的新需求。目前全球市场由海力士、三星 和美光主导,中国厂商如武汉新芯、长鑫存储和华为也在积极推进HBM国产化,市场供需缺口仍持续扩大,DRAM涨价周 期叠加AI驱动下,HBM价格预计继续上涨,市场规模预计在2024年达到约70亿美金。 TSV、混合键合、EMC占据产业链价值高地 HBM的生产涉及TSV、凸点制造、堆叠工序。其中,TSV是HBM生产流程中最核心的工艺,也是价值量占比最高的工艺环 节;凸点制造将随着未来间距缩小走向混合键合,是HBM未来的发展趋势;EMC ...