电子行业存储芯片周度跟踪：HBM产能售罄至2025年，美光1γDRAM试产顺利

电子 行业研究/行业周报 证 券 研 究 报 告 行 业 研 究 行 业 周 报 A HBM 产能售罄至 2025 年,美光 1γ DRAM 试产顺利 ——存储芯片周度跟踪(2024.07.01-2024.07.05) ◼ 核心观点 NAND:NAND 颗粒市场价格小幅波动,三星首次将钼应用于第 9 代 V-NAND 工艺。根据 DRAMexchange,上周(0701-0705)NAND 颗 粒 22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.95%至 1.33%,平均涨跌幅 为-0.06%。其中 12 个料号价格持平,2 个料号价格上涨,8 个料号价 格下跌。根据 CFM 闪存市场报道,目前三星已引进了 5 台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约 20 台设备。三星电子在金属 布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的"电阻率"。通过提高电阻 率,NAND 可以堆叠得更高。此外,在 NAND 金属布线工艺中使用 钼,可将延时减少30%-40%。据悉,除三星电子外,SK海力士、美光、 铠侠等也在考虑将钼应用到 NAND Flash。 DRAM:颗粒价格小幅波动,美光 1γ DRAM 试产进展顺利。根据 ...