化合物半导体系列报告之三：碳化硅：国内弯道超车趋势已现

证 券 研 究 报 告 碳化硅：国内弯道超车趋势已现 ——化合物半导体系列报告之三 证券分析师： 杨海晏 A0230518070003 杨紫璇 A0230524070005 联系人：杨紫璇 A0230524070005 2025.6.27 主要内容 2 1. 海外大厂收缩，SiC竞争格局或收敛 2. 国内厂商在各环节打破垄断 3. 标的梳理 4. 风险提示 投资要点 www.swsresearch.com 证券研究报告 3 ◼ 碳化硅具有耐高温、高压等优势，渗透率提升空间大。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓等 为代表的第三代半导体材料发展迅速。与第一代半导体材料硅相比，碳化硅具备更高的击穿电场强度、饱和 电子漂移速率、热导性和热稳定性，更适合在高压、高频、高功率等领域中应用，并且能实现器件小型化、 轻量化。根据Yole数据，2024年SiC材料渗透率从2020年4%提升到15%。 ◼ 海外大厂发生较多变动，SiC竞争格局或收敛。Wolfspeed在2024年关闭达勒姆6英寸工厂，2025年5月正 式启动破产保护申请程序，近期宣布将依据重组协议申请破产；瑞萨电子终止原定2025年量产的群马县SiC ...