SiC深度一：先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选

证券研究报告 SiC深度（一） 先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选 1 摘要 根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。 • 解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题 根据《高算力Chiplet的热管理技术研究进展》，集成电路发展受到"功耗墙"的严重制约。英伟达和AMD在追求算力大幅提升的情况下，不得不继续提高 芯片功率。主流算力芯片基本标配CoWoS封装，尤其英伟达算力芯片全部使用CoWoS封装。因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。 • SiC有望成为未来CoWoS发展中Interposer最优解 戚舒扬(SAC NO:S1120523110001) 卜灿华(SAC NO:S1120524120006) 2025年11月5日 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 目录 一、英伟达、台积电考虑使用SiC作为未来先进封装中介层 CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，Interposer当前与未来面临热管理、结构刚性等难题。根据北京大学、Nat ...