走进“芯”时代系列之七十六—HBM之“设备材料”深度分析：HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点

证券研究报告 半导体行业深度报告 领先大市-A（维持） 走进“芯”时代系列之七十六—HBM之“设备材料”深度分析 HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点 分析师：孙远峰 S0910522120001 分析师：王海维 S0910523020005 年 月 日 2024 3 4 本报告仅供华金证券客户中的专业投资者参考 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 技术迭代， 混合键合助力设备材料 HBM 3D Ø HBM加速迭代，市场空间足：HBM突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为AI芯片最强辅助，我们认为HBM将持续迭代，I/O口数量以及单I/O口速 率将逐渐提升，HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4于2026年发布。2024 年全球HBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。 Ø HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4剑指混合键合：当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠（TSV一般由晶圆厂完成，封测厂可在堆叠环节 进行配套），但随着堆叠层数的增加散热效率很差，TCB不再满足需求，海力士率先引入M ...