电子行业存储芯片周度跟踪：美光扩充HBM产能，戴尔称DRAM成本或将上涨
Yong Xing Zheng Quan·2024-06-12 01:30
电子 行业研究/行业周报 A 证 美 光扩充 HBM产能，戴尔称 DRAM成本或将上涨 券 ——存储芯片周度跟踪（2024.06.03-2024.06.07） 研 究 报 ◼ 核心观点 增持( 维持) 告 NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动， 铠侠或将在 2026年量产第 行 十代 NAND。根据 DRAMexchange，上周（0603-0607）NAND 颗粒 22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.03%至3.05%，平均涨跌幅为 行业： 电子 业 研 -0.14%。其中 6个料号价格持平，4个料号价格上涨，12个料号价格 日期： y 20x2z4q年da0te6m月a1r1k日 究 下跌。根据 CFM 闪存市场报道，铠侠或将在 2026 年量产第 10 代 NAND，并将采用低温蚀刻的新技术，可在比以往更低温的环境中进 分析师： 陈宇哲 行蚀刻。 E-mail： chenyuzhe@yongxings DRAM：颗粒价格小幅波动，戴尔称预计SSD和DRAM成本将逐季 ec.com 上涨。根据DRAMexchange，上周（0603-0607）DRAM 18个品类现 SAC编号： S17605230 ...