下一代HBM:三大技术,定生死!
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容 综合自 zdnet ,谢谢。 SK海力士强调,下一代HBM(高带宽存储器)的商业化需要各个领域的技术进步。 尤其在电源效 率方面,与各大代工企业的合作有望更加紧密。 SK海力士副社长李圭在2日于仁川松岛国际会展中心举办的"KMEPS 2025定期学术会议"上介绍了 HBM的开发方向。 当天,副会长强调了SK海力士下一代HBM开发的三大任务:带宽、功率和容量。 带宽是衡量数据传输速度的标准。带宽越高,性能越好。要增加带宽,通常需要增加 I/O(输入/输 出端口)的数量。事实上,对于 HBM4(第 6 代),I/O 数量与 HBM3E(第 5 代)相比增加了一 倍,达到了 2,048 个。 "客户希望获得比 SK Hynix 所能生产的更高的带宽,有些客户甚至谈到高达 4,000 个 I/O,"该副 总裁解释道。 "但是,仅仅增加 I/O 数量并不总是一件好事,因此需要进行一些工作,例如将现有 的假凸点替换为实际可用的凸点。" 因此,下一代HBM有望在功耗和容量方面取得进步。具体来说,功耗与逻辑过程密切相关。 HBM 配备了逻辑芯片,负责堆叠 DRAM 的核心 ...