三星高层承认：NAND缺乏竞争力，需加倍努力

来源：内容 编译自 businesskorea ，谢谢。 三星电子 NAND 开发部门负责人呼吁员工加倍努力，在未来技术上重新获得对竞争对手的超强竞 争优势。 目前，三星电子的NAND闪存主要用于智能手机和个人电脑，这些闪存基于三层单元（TLC）技 术，具有良好的耐用性和低延迟性。因此，三星电子正在向TLC技术投入大量资源。许尔认为，只 关注眼前问题可能会导致错失未来的增长引擎。 三星电子内部期待Hur Sung-hoi的彻底反省能为扭转局面创造动力。这是因为，尽管三星电子一 直倾向于掩盖NAND竞争力的下滑，但坦诚地分享这一事实可能会带来整体技术发展的改变。 三星电子相关人士表示，"几年前，包括Hur Sung-hoi在内的高层管理人员对QLC技术也持否定态 度，整个组织的眼光都只着眼于当前"，并补充道，"现在高层管理人员已经开始诚实地看待形势， 积极的一面是我们获得了新的发展势头"。 三星正在开发400多层3D NAND 去年，三星表示，正在开发第九代286 层3D NAND ，并正在开发 400 层技术。 据业内人士4月29日透露，三星电子内存业务部闪存开发室室长、负责NAND开发的Hur Sung-h ...