英诺赛克CEO吴金刚：GaN不仅仅是一次发展机遇，更是一次技术革命

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 2025年4月23日，2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会重磅开幕！本届展会在前两届 成功举办的基础上继续提档升级。作为重头戏，聚焦化合物半导体产业技术发展的高峰论坛 将延续往年的多元化架构，以1场主论坛、11场平行论坛，逾15场同期活动的强大阵容，携 手全球相关领域权威科研机构、领军企业及行业专家代表，共同探索化合物半导体产业未来 发展方向。 在上午的大会主论坛中，英诺赛克CEO吴金刚带来了主题为 《GaN出美好芯未来》 的演讲，重 点探讨了第三代半导体GaN的突破与未来发展前景。 吴金刚首先分析了"为什么选择GaN？"他指出，伴随着第四次工业革命推动的数字化与智能化浪 潮，功率半导体市场规模呈现指数级增长，产品性能大幅提升。在消费电子、智能汽车、光伏储 能、数据计算等领域， GaN FET有望替代传统的Si MOS，成为市场的重要力量。 在技术性能方面，与传统Si MOSFET的FOM参数对比，150V/650V电压等级的GaN具有显著优 势，分别提升了约7倍和8倍。未来，GaN FET的成本将持续下降， 预计到2028年其价格将接近 或低于传统Si基MOS ...