一种新型光刻技术,突破EUV极限
半导体芯闻·2025-04-28 10:15
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容 编译自 eenewseurope ,谢谢。 据报道,初创公司Lace Lithography AS(挪威卑尔根)正在开发一种光刻技术,该技术使用向表 面发射的原子来定义特征,其分辨率超出了极紫外光刻技术的极限。 该公司由卑尔根大学首席执行官 Bodil Holst 教授和首席技术官 Adria Salvador Palau 于 2023 年 7 月共同创立,后者在卑尔根大学获得博士学位,但目前在西班牙巴塞罗那运营。 传统的 EUV 系统使用 13.5nm 波长的光,通过一系列反射镜和掩模在晶圆上形成图案。原子光刻 技术能够实现直接无掩模图案化,其分辨率甚至小于受波长限制的 EUV 系统所能达到的分辨率。 该公司在其网站上声称:"通过使用原子代替光,我们为芯片制造商提供了领先当前技术 15 年的 功能,而且成本更低、能耗更低。" Salvador Palau 和 Holst 教授共同撰写了一篇发表在《物理评论 A》上的论文,题为《利用中性 氦原子进行真实尺寸表面映射》。该论文详细介绍了立体氦显微镜的实现和操作。 Lace Litho 所称的 BEUV 理论上 ...