三星，豪赌下一代DRAM

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 sedaily ，谢谢 。 三星电子已确定了三年内量产垂直通道晶体管（VCT）DRAM（即所谓的下一代存储器）的路线 图。竞争对手公司SK海力士这被解读为蕴含着提前一代成功实现量产、挽回"超级差距"地位的意 志。 据业内人士27日透露，三星电子半导体（DS）部门管理层已经敲定了这一路线图，并已开始认真 开展该产品的量产工作。 VCT DRAM是指存储元件中控制电流流动的晶体管垂直排列的产品。它被认为是一个"游戏规则改 变者"，通过放置比现有平放方法更多的晶体管，可以实现高容量。但这种方法比现有工艺要困难 和复杂得多。突破技术壁垒并不容易，因为它不仅需要制造存储器件的前期工艺，还需要现有 DRAM工艺中未曾用到的先进封装工艺。 三星电子目前正在量产10㎚（纳米，十亿分之一米）级第五代DRAM，并计划今年量产第六代。 在确定明年开发第 7 代 DRAM 的计划后，该公司对第 8 代 (1e) DRAM 和全新方法 VCT DRAM 进行了权衡，最终决定采用 VCT DRAM 方法。据悉，SK海力士已制定了第七代→1nm级第一代 （0a）→垂直DRAM（ ...