混合键合，风云再起

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 后摩尔时代，随着芯片制程微缩逼近物理极限，先进封装技术成为突破性能瓶颈的关键路径。作为其中 的前沿方向，混合键合技术正迎来加速发展期。 SK海力士、三星等HBM存储巨头，英伟达、博通等行业领军企业，已相继释放明确需求信号并展开技 术规划，标志着这项能实现芯片高密度、低功耗互连的创新技术，正从研发阶段迈向规模化应用的重要 节点。 近日，应用材料收购BESI股份的消息，再次为混合键合技术的发展增添了一股助力。 混合键合技术，多方入局 混合键合技术又称为直接键合互连，是后摩尔时代先进封装领域的核心技术之一，其核心原理是通过 铜-铜直接键合与介质键合的协同作用，实现芯片间的高密度垂直互连。 因为混合键合无需传统焊料凸块，直接通过铜-铜键合和介质-介质键合的双重机制，将芯片间的互连间 距缩小至亚微米级甚至纳米级。 混合键合技术优势体现在几个方面： 极致互连密度与性能突破： 混合键合可实现1μm以下的互连间距，相较传统凸块键合（20μm以 上），单位面积的I/O接点数量提升千倍以上，这种高密度互连使芯片间数据传输带宽大幅提升。 热管理与可靠性提升： 紧凑的垂直堆叠结构和直接导电路 ...