HBM，奔向混合键合

此前，HBM 生产的堆叠工艺依赖于 SEMES、韩美半导体和韩华光辉等设备供应商生产的热压 (TC) 键合机。然而，目前尚无任何韩国公司展示出混合键合设备的量产能力。随着美国半导体设 备巨头应用材料公司宣布进军 HBM 混合键合市场，预计未来供应链主导权的竞争将愈演愈烈。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自chosun ，谢谢 。 三星电子和 SK 海力士正在考虑采用混合键合技术用于下一代高带宽存储器（HBM），此举有望 重塑全球半导体设备供应链。 混合键合技术无需使用"凸块"即可连接高密度块 (HBM) 堆栈中的 DRAM 芯片，而是依靠铜对铜 的直接键合。这种方法可以减小芯片尺寸，同时将功率效率和整体性能提高一倍以上。 据业内人士5月7日透露，三星电子和SK海力士正合作将混合键合技术应用于其下一代HBM产品的 量产。预计三星最早将于明年将该技术应用于HBM4（第六代HBM），而SK海力士则可能将其应 用于其第七代HBM（即HBM4E）。 目前，TC键合机用于制造最新的HBM3E（第五代HBM）产品。这些设备通过加热和加压来连接 单个DRAM芯片，并使用凸块连接将它们以固定间隔堆叠。 ...