中国可能凭借这项无硅晶体管创新超越美国芯片技术

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 techradar ，谢谢 。 北京大学的中国研究人员宣布了晶体管设计方面的一项突破，如果实现商业化，可能会极大地改变 微处理器的发展方向。 该团队基于二维材料硒化铋创建了一种无硅晶体管。 这 项 创 新 的 关 键 在 于 全 环 绕 栅 极 (GAAFET) 架 构 ， 其 中 晶 体 管 的 栅 极 完 全 环 绕 源 极 。 传 统 的 FinFET 设计，目前主导着硅基处理器，仅允许部分栅极覆盖。这种全环绕结构增强了栅极和沟道 之间的接触面积，通过减少能量泄漏和实现更好的电流控制来提高性能。 这是否标志着硅芯片的终结？ 北京大学表示："这是迄今为止速度最快、效率最高的晶体管。" 这一说法得到了在与领先商用芯 片相同条件下进行的测试的支持。 参考链接 https://www.techradar.com/pro/chinese-researchers-develop-silicon-free-transistor-technology-claimed-to-be-fastest-and-most-efficient-ever- heres-wha ...