下一代内存技术，三星怎么看？

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 zdnet ，谢谢。 三 星 电 子 正 在 大 力 开 发 可 接 替 HBM （ 高 带 宽 内 存 ） 的 下 一 代 DRAM 解 决 方 案 。 其 中 ， 像 PIM （Processing-In-Memory，存内计算）等部分技术，正处于半导体标准化组织中的规范讨论阶 段，未来有望明确商用化路径。 三星电子大师级专家孙教民（音译）于13日上午在首尔江南举行的"第十届人工智能半导体早餐论 坛"上发表了上述内容。 他以《AI时代的DRAM解决方案（DRAM Solutions for AI Era）》为主题进行演讲时表示："AI 产业对内存性能的需求已经超越了当前的开发速度，DRAM厂商也在积极开发各种新技术以提升 内存集成度。"他进一步指出，"因此，无论是晶体管还是电容器，正持续向更精细的方向演进，结 构也在不断革新。" 目 前 主 要 的 下 一 代 DRAM 技 术 包 括 PIM 、 VCT （ 垂 直 晶 体 管 通 道 ） 、 CXL （ Compute Express Link）、以及LLW（低延迟、高带宽）DRAM等。三星 ...