存储路线图，三星最新分享

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前举办的"IMW 2025"上，三星电子关于下一代 DRAM 和下一代 NAND 闪存的演变。 10nm代（1X代及以后）的DRAM单元基本维持上述结构，但通过改进电容结构、字线材料等延续 了七代，依次称为"1X→1Y→1Z→1A→1B→1C→1D"代。不过，下一代"0A"代（10nm以下第一 代）将无法维持"6F2"布局，有很大机会转向"4F2"布局。 10nm 以下 DRAM ，如何实现 实现"4F2"布局的单元晶体管的基本结构是沟道垂直排列的结构。它被称为"VCT（垂直沟道晶体 管）"。位线、沟道（侧面有字线）和电容器从基板侧垂直排列。 在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。 在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21 世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平） 方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小， DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了 ...