HBM，或被这种内存取代

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文编译自tomshardware 。 美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM，以替代高 带宽存储器（HBM）。据《日经亚洲》报道，这两家行业巨头联合成立了一家名为 Saimemory 的 公司，致力于基于英特尔的技术与东京大学等日本高校的专利，共同打造原型芯片。该公司计划于 2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在 2030年前实现商业化。 在1980年代，日本企业曾占据全球约70%的存储芯片市场份额，是当时的行业霸主。然而，随着 韩国和台湾地区厂商的崛起，日本多数存储芯片企业逐渐退出了市场。 不 过 ， Saimemory 并 非 第 一 家 探 索 3D 堆 叠 式 DRAM 的 企 业 。 三 星 早 在 去 年 就 宣 布 了 开 发 3D DRAM和堆叠式DRAM的计划；而NEO Semiconductor也正在推进其名为3D X-DRAM的产品研 发。不过，这些项目的重点在于提升单芯片容量，目标是实现每个内存模块高达512GB的容量。 相比之下，Saimemory的核心目标是降低功耗——这是当前数据中心 ...