钌的金属间距，重要突破

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 electronicsweekly 。 Imec 已制造出间距为 16nm 的钌 (Ru) 线，平均电阻低至 656W/µm。 16nm 间距金属线采用半镶嵌集成流程制造，该流程针对成本效益的可制造性进行了优化，使其成 为制造 A7 及更高技术节点的第一个局部互连金属层的一种有吸引力的方法。 钌 (Ru) 半镶嵌工艺最初由比利时微电子研究中心 (IMEC) 提出，作为一种颇具吸引力的模块方 法，旨在解决当金属间距小于 20 纳米时，Cu 双镶嵌工艺带来的电阻-电容 (RC) 延迟问题日益加 剧。半镶嵌工艺是一种双层金属化模块，从直接蚀刻第一层局部互连金属层 (M0) 开始，并有可能 扩展到多层。 2022年，imec首次通过实验展示了18nm金属间距的直接蚀刻低电阻Ru线，并将集成方案扩展至使 用完全自对准通孔（FSAV）的双金属级模块。 参考链接 https://www.electronicsweekly.com/news/business/imec-fabs-ru-lines-at-16nm-pitch-with-low-resistance- ...