铠侠分享闪存技术路线图

除了增加层数外，铠侠HD还通过结合平面缩小等方法来实现位密度的最大化。太田解释说："一般 来说，其他公司专注于通过增加层数来提高位密度，但除此之外，我们的优势在于在平面方向上缩 小芯片面积。" 他继续表示，他们正在通过各种开发要素来追求位密度的最大化，例如引入CBA （CMOS直接键合阵列）等新架构以及早期引入QLC。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 eetjp 。 铠侠控股（以下简称铠侠HD）于2025年6月5日召开经营方针说明会，公司执行副总裁兼首席执行 官太田宏夫介绍了旗舰产品BiCS FLASH的发展路线图和关键技术，以及目前正在开发的新型内存 解决方案。 太田先生首先谈到了内存技术的演进。他解释说，随着人工智能（AI）的普及，闪存正通过满足 各种需求，包括提升位密度、可靠性、性能和能效，来支持人工智能的普及。他还提到，内存容量 已 从 1991 年 的 4M 位 增 加 到 目 前 正 在 量 产 的 第 八 代 BiCS FLASH 的 2T 位 ， 增 加 了 50 万 倍 。 他 强 调："在此过程中，SLC、MLC、TLC和QLC（四级单元）等新的内存技术应运而 ...