SK海力士最新路线图，公布！

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 车 善 镕 还 指 出 ， 除 了 4F 平 方 VG 外 ， 3D DRAM 也 是 下 一 代 DRAM 技 术 的 核 心 方 向 之 一 。 3D DRAM是将存储单元垂直堆叠的技术。尽管业界普遍认为其制造成本可能会随着堆叠层数增加而 上升，但SK海力士计划通过技术创新来克服成本问题，进一步巩固其竞争力。 此外，SK海力士还透露，正在对关键材料和DRAM构成元件进行技术升级，以获取新的增长动 能，并为未来30年DRAM技术的持续演进打下基础。 车善镕总结道："2010年前后，业界普遍认为DRAM技术将止步于20纳米，但通过不断的技术创 新，我们走到了今天。"他强调："我们将为参与未来DRAM研发的年轻工程师们提供中长期的技 术创新路线图，并与整个产业合作，共同将DRAM的未来变为现实。" 另据介绍，在本次大会最后一天（6月12日），SK海力士负责下一代DRAM TF的副总裁朴柱东将 作为演讲嘉宾，公开采用VG结构与晶圆键合（Wafer Bonding）技术验证DRAM电性表现的最新 研究成果。 来源：内容 编译自 ZDNET 。 SK海力士在日本京都于6月8日 ...