新型的3D芯片

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 MIT 。 先进的半导体材料氮化镓很可能成为下一代高速通信系统和最先进数据中心所需的电力电子设备的关 键。 不幸的是，氮化镓（GaN）的高成本以及将这种半导体材料融入传统电子产品所需的专业化限制了其 在商业应用中的使用。 现在，麻省理工学院和其他地方的研究人员开发出一种新的制造方法，将高性能 GaN 晶体管以低成 本、可扩展的方式集成到标准硅 CMOS 芯片上，并与现有的半导体代工厂兼容。 他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微型晶体管，切割出每个单独的晶体管，然后使用低温工 艺将所需数量的晶体管粘合到硅芯片上，以保留两种材料的功能。 由于只需在芯片中添加少量GaN材料，因此成本保持极低，但最终器件却能通过紧凑、高速的晶体管 获得显著的性能提升。此外，通过将GaN电路分离成可分布在硅芯片上的分立晶体管，这项新技术能 够降低整个系统的温度。 研究人员利用这一工艺制造了功率放大器，这是手机中必不可少的组件，与采用硅晶体管的设备相 比，它能够实现更高的信号强度和效率。在智能手机中，这可以改善通话质量、提升无线带宽、增强 连接性并延长电池寿命。 ...