GaN，风云骤变

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务；力积电趁势接下Navitas 的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项 目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串 动作，正将GaN推向新一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球能源转型与高能效驱动 的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来 制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向电动汽车主驱系统等高 压核心场景？ 台积电抽身，力积电接棒 台积电在7月3日发表声明称，决定在两年内逐步淘汰其GaN半导体代工业务，分析师表示，此举是由于来自中国的竞争侵 蚀了该产品的利润率。由于对GaN低利润前景感到担忧，台积电已决定逐步淘汰其GaN业务，并停止200毫米晶圆生产的 研 ...