GaN，内卷加剧

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务； 力积电趁势接下Navitas的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸 GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科 通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串动作，正将GaN推向新 一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球 能源转型与高能效驱动的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲 等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向 电动汽车主驱系统等高压核心场景？ 尽管台积电正在退出GaN代工，但是另一边英飞凌却正在加大投入。据英飞凌新闻稿称，凭借其强 大的IDM模式，英飞凌正在推进其在300毫米晶圆上的可扩展GaN生产，首批客户样品计划于2025 年第四季度发布。 英飞凌已成为首家在其现有量产基础设施内成功开发30 ...