新型存储，谁最有希望？

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 新兴非易失性存储（eNVMs）代表了一类极具前景的技术，可用于替代或增强传统的易失性存储器（如随机访问存储器 RAM）。与断电即失去数据的RAM不同，eNVMs能够在断电或系统关闭的情况下依然保持数据完整性。本文综述了多种 新兴存储材料和器件架构，包括电阻式随机存取存储器（ReRAM）、磁性随机存取存储器（MRAM）、铁电随机存取存 储器（FeRAM）和相变存储器（PCM）。此外，还探讨了基于二维材料和有机材料的新型eNVMs，并讨论了从传统数字 计算向类突触计算的转变，以及这种转变如何为解决人工智能在加速科研发现中面临的技术瓶颈带来新机遇。本文系统分 析了当前的技术进展、发展轨迹以及仍需攻克的主要挑战。 非易失性存储器在后CMOS时代的角色 在后CMOS微电子时代，一个广泛被关注的挑战是如何突破冯·诺依曼计算架构的限制（见图1）。当前急需一种能兼具多 种优点的新型存储器，包括兼容现有CMOS工艺流程，并能突破静态随机存储器（SRAM）和闪存的规模瓶颈。具备这些 特 征 的 存 储 技 术 ， 将 可 适 用 于 模 拟 与 数 字 处 理 中 的 独 立 存 ...