台媒：DRAM巨头，HBM有变

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自digitimes 。 据digitimes报道，三星电子将其下一代高带宽内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年，这表明在正在进行的 DRAM 重 新设计工作中，三星电子将采取更加谨慎的推出方式。 该公司最初计划在 2025 年下半年开始量产基于 10nm 级第六代 1c DRAM 的 12 英寸 HBM4 模块。不过，据韩国出版物 Deal Site报道，三星打算在 2025 年第三季度向主要客户交付早期样品，预计在第四季度全面投入生产。 此次延期正值三星致力于提升其重新设计的1c DRAM芯片的性能和良率之际。据报道，内部测试已取得进展，截至7月 初，少量晶圆的良率已达到约65%。然而，这些样品并非专门为HBM应用设计，量产后的实际良率可能会有所不同。 修改1c DRAM的两种策略 通常，内存制造商会先开发用于计算用途的 DRAM 芯片，然后再将该技术应用于移动或 HBM 产品。三星此前在第一季 度财报电话会议上重申，HBM4 的开发仍与客户路线图保持一致，目标是在 2025 年底实现量产。然而，最新的内部信号 表明，这一时间可能 ...