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这项技术将助力氮化镓突破
半导体行业观察·2025-07-29 01:14

公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 来源:内容编译自ieee 。 加州大学圣巴巴拉分校GaN高电子迁移率晶体管专家乌梅什·米什拉(Umesh Mishra)表示:"通过添加绝缘体来从器件中 获取更多电流非常有价值,如果没有负电容,其他情况下是无法实现的。"他并未参与这项研究。 漏电流是这类晶体管中众所周知的问题,"因此,将创新的铁电层集成到栅极堆栈中来解决这个问题显然很有前景,"北卡 罗来纳州达勒姆市杜克大学的电气工程师Aaron Franklin说, "这无疑是一个令人兴奋且富有创造性的进步。" 加州的科学家表示,集成一种具有奇特特性(称为负电容)的电子材料,可以帮助高功率氮化镓晶体管突破性能障碍。发 表在《科学》杂志上的一项研究表明,负电容有助于规避通常要求晶体管在"开启"状态和"关闭"状态之间权衡的物理限 制。该项目的研究人员表示,这表明,在硅中已被广泛研究的负电容,其应用范围可能比以往预想的更为广泛。 基于GaN的电子设备为5G基站和手机的紧凑型电源适配器供电。当试图推动该技术实现更高频率和更高功率的运行时,工 程师们面临着诸多权衡。在用于放大无线电信号的GaN器件(称为高电子迁移率晶体管 ...