决战混合键合

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在存储领域，键合方式一直是几家厂商关心的核心问题。随着先进封装技术的发展，尤其是 3D NAND和高带宽存储器（HBM）不断迈向更高堆叠层数与更紧密互连，对键合技术的精 度、密度与良率提出了前所未有的挑战。在这一背景下，"混合键合"（Hybrid Bonding）正迅 速从实验室技术走向大规模量产，成为存储芯片制造的新支柱。 激进的三星 三星无疑是对混合键合最为热衷的存储厂商之一。 早在去年6月，The Elec报道称，尽管三星在其 12 层堆叠 HBM 之前一直在使用热压键合，但其 确认，混合键合对于制造 16 堆叠 HBM 是必要的。 据报道，三星在其 12 层堆叠 HBM 之前一直使用热压键合技术。然而，现在三星更加注重混合键 合技术在降低高度方面的能力，这对于 16 叠层 HBM 来说至关重要。通过进一步缩小芯片之间的 间距，三星可以在 775 微米的尺寸内安装 17 个芯片（一个基础芯片和 16 个核心芯片）。 报道称，关于其未来的HBM路线图，三星计划在2025年生产其HBM4样品，该样品主要为16层堆 叠，并计划于2026年实现量产。而在2024年 ...