下一代DRAM争霸赛打响

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源 ：内容 编译自 chosun 。 在全球存储芯片行业最新战场——10纳米级第六代DRAM领域（1c、11-12纳米级）争夺战中，三 星电子与SK海力士采取了截然不同的策略。 EUV 的波长为 13.5 纳米，是传统半导体曝光工艺材料 ArF（氟化氩）的十三分之一，使其成为 实现超精细工艺的理想光源。然而，由于技术难度高、设备成本高，目前 EUV 仅适用于需要超精 细电路的特定层。对于其余层，则使用现有的传统工艺，例如深紫外 (DUV)。 为了从上一代产品的挫折中恢复过来，三星迅速采取行动，投资新的生产设施，而 SK 海力士则推 迟大规模支出，直到在与包括 Nvidia 在内的主要客户谈判中确认明年的供应承诺，确保盈利能 力。 预计三星将比SK海力士提前三到四个月开始量产1c DRAM。分析师表示，如果三星成功向英伟达 供应采用新工艺生产的DRAM的第四代高带宽内存（HBM4），它有望重夺约30年来首次失去的 市场领先地位。 每一代 DRAM 都采用更先进的制程技术，通过缩小电路线宽来减小芯片尺寸并提高密度，从而提 升性能和能效。三星、SK 海力士和美国美光科技公 ...