芯片两项关键技术，突破

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ：内容 编译自 imec 。 2024年，imec推出了CMOS 2.0作为新的扩展范式，以应对应用多样化带来的日益增长的计算需求。 在CMOS 2.0中，片上系统（SoC）在系统技术协同优化（STCO）的指导下被划分为不同的功能层 （或层级）。每个功能层都采用与功能约束最匹配的技术选项构建。 先进的3D互连技术重新连接了SoC的异构层。这让人想起一项已经应用于商用计算产品的演进：想象 一下在处理器上3D堆叠SRAM芯片。但CMOS 2.0方法的标志是，异构性被引入SoC内部。根据应用 需求，CMOS 2.0甚至设想将SoC的逻辑部分拆分为高驱动逻辑层（针对带宽和性能进行了优化）和 高密度逻辑层（针对逻辑密度和性能功耗比进行了优化）。高密度层可以采用最先进的技术制造，包 括规模最大的晶体管架构。 图 1 ： CMOS 2.0 时代 SoC 可能分区的示例。 另一个关键特性是背面供电网络 (BSPDN)：部分有源器件由晶圆背面供电，而非传统的正面供电方 案。这样，在晶圆层正面实现极高的后端制程 (BEOL) 间距图案化成为可能，且不受电源电压降的限 制。 基 ...