铜互连的终结？

阻挡层的需求也使极小特征的制造变得复杂。目前尚无可制造的铜蚀刻工艺。相反，即使是最窄的线 路，也是通过在电介质中蚀刻线路、沉积阻挡层和种子层，然后用铜填充来实现的。有效的阻挡层沉 积需要均匀的侧壁覆盖，并能够抑制通孔底部的沉积。有效的铜沉积需要调节电镀槽的化学性质，以 确保自下而上、无空洞的填充。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ：内容 编译自 semiengineering 。 经过近三十年的发展，铜互连时代或许即将终结。某种程度上来说。在10纳米以下的互连关键尺寸 （CD）下，铜不再是最佳的金属化选择。然而，对于更大的特征尺寸，它仍然是无与伦比的。 铜持续微缩面临的最严峻挑战是，在低于其相对较大的平均自由程长度（40纳米）的尺寸下，金属电 阻率会急剧上升。三星材料科学家Jun Hwan Moon及其同事表示，当线宽小于10纳米时，电子散射 会导致线电阻相对于块体材料增加约10倍。 此外，由于铜需要扩散阻挡层，实际的铜线总是比光掩模上的图案要小。扩散阻挡层的厚度至少要达 到 3 到 4 纳米，否则不会有效，这意味着 10 纳米的铜线厚度只有 2 到 4 纳米。 虽然选择性沉积是一个活跃 ...