光芯片的“优选衬底”，铌酸锂材料全球竞争格局如何

"宁波膜智信息科技有限公司"为势银（TrendBank）唯一工商注册实体及收款账户 重要会议： 11 月 17-19 日，2025势银异质异构集成年会（浙江·宁波） 点此报名 11月19日-21日，2025势银显示技术与供应链产业年会（四川·成都） 点此报名 添加文末微信，加 异质异构集成产业 群 在人工智能、数据中心需求火爆的大背景下，光芯片赛道的一级二级市场活跃度节节攀高。光芯片作为异质异构集成技术的主要承载者，从 如今广泛应用的光通信技术，到未来前沿的光量子计算、光量子存储载体，一直是产业界和科研界不断研发新材料、新工艺及新结构的锚定 方向。 从衬底材料来看，目前光芯片衬底主要由 SOI、铌酸锂、GaAs、InP等材料，其中铌酸锂薄膜(LNOI)光子芯片技术因其 可兼容CMOS，且具 备超大规模、超快调制、超宽光语、超低损耗 的优势，被认为是下一代光通信、量子计算和高端光电子领域的核心材料。 且 在 "技术竞速"中，CHIPX率先在无锡布局国内首条光子芯片中试线， 并 于近日完成首片 6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在国内首个光子芯 片中试线下线，实现了超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量 ...