HBM，增速放缓

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 NAND Flash 也呈现类似趋势。2026 年 NAND Flash 需求增长率预计为 13.8%，生产增长率预计为 14.0%，供需将保持平衡。 iM 证券分析师宋明燮指出："HBM 在 2024-2025 年经历了爆发式增长，但 2026 年随着竞争对手进入市场、供应规模扩大，其增长速度很可能放缓。" 与之相对，他 分析称："长期处于价格下跌态势的 NAND Flash，目前已触底，未来有相对走强的空间。" 智能手机、服务器需求成关键变量 需求层面，智能手机与服务器被视为核心影响变量。 来源 ： 内容来自 编译自zdnet 。 过去几年拉动行业景气度的高带宽内存（HBM），将因竞争加剧而增长放缓；反观动态随机存取内存（DRAM）与闪存（NAND Flash），则有望凭借供需平衡实 现良好业绩。 根据 iM 证券 6 日发布的报告，2025 年 DRAM 需求增长率已上调至 19.3%，小幅高于行业 18.1% 的生产增长率。展望 2026 年，受全球经济放缓影响，DRAM 需求 增长率预计为 14.1%，生产增长率预计为 14.2%。 https://z ...