AI，点燃第三代半导体黄金时代

作为宽禁带半导体的两大代表材料，氮化镓（GaN）目前在消费电子快充领域蓬勃发展，而 碳化硅（SiC）则在新能源汽车的应用场景中逐渐普及。这两种第三代半导体材料各有千 秋：GaN以其高开关频率和低开关损耗优势在高频应用中大放异彩，SiC则凭借高电压、高 温度工作能力在功率转换领域独树一帜。 如今，随着人工智能的强势崛起，这两种材料的应用边界正在不断拓展，为碳化硅和氮化镓 创造了前所未有的增量市场——AI数据中心服务器电源（PSU）。 AI数据中心的电力挑战： 从传统到变革 生成式人工智能的火热应用以及AI芯片算力的爆发式增长，正在重新定义数据中心的电力需求。 根 据 英 飞 凌 的 预 测 ， 单 个 GPU 的 功 耗 将 呈 指 数 级 增 长 ， 从 目 前 的 1000W 激 增 至 2030 年 的 约 2000W。与此同时，AI服务器机架的峰值功耗将达到惊人的300kW以上——这相当于几年前传统 服务器总功耗的数十倍。 更为严峻的是，英飞凌估计到2030年，数据中心的电力消耗可能高达全球的7%，大致相当于印度 目前的全国能源消耗量。这一数据清晰地描绘了AI带来的高能耗危机。 在这种背景下，数据中心电 ...