二维晶体管路线图

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 众所周知，大多数当代半导体依赖于硅基互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术。过去几十年 来，这项技术推动了性能和集成密度的提升。然而，随着技术节点进入亚纳米 (nm) 领域，进一 步的微缩越来越受到物理和静电限制。因此，二维 (2D) 半导体作为超越硅的沟道材料，因其即 使在原子厚度下也能保持其电学特性，而受到越来越多的关注。 值得注意的是，包括三星、台积电、英特尔、IMEC在内的全球领先半导体公司和研究机构，已将二 维半导体晶体管作为下一代技术纳入其后硅时代（2030年代中期以后）的技术路线图，并启动了大量 研发项目。因此，二维半导体正从一项长期发展前景转变为全球半导体行业快速崛起的下一代核心技 术。 然而，目前二维半导体商业化面临的最大障碍是栅极堆叠集成技术。作为静电控制沟道导电的核心结 构，栅极堆叠的质量决定了器件的性能和稳定性。然而，将现有的硅晶体管工艺直接应用于二维半导 体，不仅会降低电介质的质量，还会导致界面缺陷、漏电流等问题。开发适合二维界面的新材料和工 艺集成被认为是实现二维半导体商业化的关键任务。 近日，首尔国立大学工程学院宣布，由电气与计算 ...